半导体晶片及其制造方法;SEMICONDUCTOR CHIP AND FABRICATION METHOD THEREOF

摘要

本发明有关于一种半导体晶片及其制造方法。根据该制造方法，对半导体晶圆切掉部分进行等向蚀刻及异向蚀刻，于半导体晶圆中形成沟。藉该等沟，该半导体晶圆被切块，无须使用任何切割刀片。而且，可以形成其边缘及拐角皆被倒角的半导体晶片。根据本制造方法，可缩短制造时间，而且还可提高集成度及半导体晶片良率。

主权项

1.一种从半导体晶圆制成半导体晶片的方法，该半导体晶圆具有支援半导体元件的第1面以及该第1面之反面的第2面，该方法包括以下步骤：于该第1面与该第2面当中一面或两面上形成光阻，该光阻包含一用于露出该半导体晶圆的切掉部分之开口(aperture)；透过该光阻之开口等向性蚀刻该露出的切掉部分，以形成一具有碗状(bowl-shaped)截面的沟(groove)，该沟包含一开口，其具有宽度大于该光阻之开口的宽度；和透过该光阻之开口用一方式异向性蚀刻该沟的一底部表面，使得在该底部表面上所产生之开口的宽度变成小于该沟之开口的宽度，以将该半导体晶圆分离成个别的半导体元件。 ;2.如申请专利范围第1项所述之方法，其还包括如下步骤：从该第1面等向性蚀刻该切掉部分时，于该第1面上形成使该第1面上切掉部分露出的光阻。 ;3.如申请专利范围第2项所述之方法，其中，该光阻被倒角。 ;4.如申请专利范围第1项所述之方法，其还包括如下步骤：从该第2面等向性蚀刻该切掉部分时，于该第2面上形成使该第2面上切掉部分露出的光阻。 ;5.如申请专利范围第4项所述之方法，其中，该光阻被倒角。 ;6.一种从半导体晶圆制成半导体晶片的方法，该半导体晶圆具有支援半导体元件的第1面以及该第1面之反面的第2面，该方法包括以下步骤：从该第1面与第2面当中之一面等向性蚀刻该半导体晶圆的切掉部分，以形成一具有碗状截面的第一沟；异向性蚀刻该第一沟之底部表面，以形成一第二沟；和从另一面等向性蚀刻该半导体晶圆的切掉部分，以形成一连接至该第二沟之第三沟，该第三沟具有碗状截面，且因此将该半导体晶圆分离成个别的半导体元件。;第1图系显示本发明实施例的半导体晶片第1制程之图。;第2图系上述本发明实施例的第1制程中所用光阻的俯视图。;第3图系显示本发明实施例的半导体晶片第2制程之图。;第4图系显示本发明实施例的半导体晶片第3制程之图。;第5图系显示本发明实施例的半导体晶片第4制程之图。;第6图系显示本发明实施例的半导体晶片第5制程之图。;第7图系显示本发明实施例的半导体晶片之立体图。;第8图系显示本发明实施例的半导体晶片之侧视断面图。;第9图系显示本发明实施例的半导体晶片之俯视断面图。