不纯物导入方法

摘要

本发明系提供一种包含有于半导体基板表面形成非晶质层之步骤，及于已非晶质化之前述半导体基板形成浅不纯物导入层之步骤之不纯物导入方法及其使用之装置，特别，形成非晶质层之步骤系于前述半导体基板表面照射电浆之步骤，而形成浅不纯物导入层之步骤则系导入不纯物于已非晶质化之前述表面之步骤。

主权项

1.一种不纯物导入方法，包含有：第1步骤，系于单结晶基板表面形成非晶质层；及第2步骤，系于已非晶质化之前述单结晶基板形成浅不纯物导入层，又，前述第1步骤系于前述单结晶基板表面照射由氦、氢或氦与氢构成之电浆之步骤，且前述第2步骤系于已非晶质化之前述单结晶基板表面导入不纯物之步骤。 ;2.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述第2步骤系以电浆掺杂不纯物之步骤。 ;3.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中于前述第2步骤后更包含有一退火步骤，且该退火步骤系用以使前述不纯物活性化者。 ;4.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述第1步骤系于前述第2步骤之前进行，或与该第2步骤同时进行。 ;5.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述第1步骤与第2步骤系于同一加工室内就地进行。 ;6.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述单结晶基板系矽，且前述第1步骤系利用改变与照射前述单结晶基板表面之电浆有关之偏电压、照射时间、偏压功率、离子种类及鞘层电压中之至少一个条件来控制前述非晶质层之厚度之步骤。 ;7.如申请专利范围第6项之不纯物导入方法，其中前述电浆照射时间系5秒以上、且少于70秒。 ;8.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述第2步骤系使含有所需粒子之气体、或电浆接触前述非晶质层之步骤，又，于前述单结晶基板表面导入作为不纯物之前述粒子。 ;9.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中前述第2步骤中，系以电浆、自由基、气体、及离子之状态导入所需粒子。 ;10.如申请专利范围第1项之不纯物导入方法，其中照射电浆之期间的偏压电压为30V以上、且少于310V。 ;11.一种不纯物导入方法，包含有：第1步骤，系于固体基体表面形成非晶质层；及第2步骤，系于已非晶质化之前述固体基体形成浅不纯物导入层，前述第1步骤系于前述固体基体表面照射电浆之步骤，且前述第2步骤系于已非晶质化之前述固体基体表面导入不纯物之步骤；又，前述固体基体系矽，且前述第1步骤系一利用改变与照射前述固体基体表面之电浆有关之偏电压、照射时间、偏压功率、离子种类及鞘层电压中之至少一个条件来控制前述非晶质层之厚度之步骤；前述电浆照射时间系5秒以上、且少于70秒。 ;12.一种不纯物导入方法，包含有：第1步骤，系于固体基体表面形成非晶质层；及第2步骤，系于已非晶质化之前述固体基体形成浅不纯物导入层，前述第1步骤系于前述固体基体表面照射电浆之步骤，且前述第2步骤系于已非晶质化之前述固体基体表面导入不纯物之步骤；又，前述第2步骤中，系以电浆、自由基、气体、及离子之状态导入所需粒子。 ;13.一种不纯物导入方法，包含有：照射步骤，系于固体基体表面照射电浆5秒以上、且少于70秒；及不纯物导入步骤，系使选自于含有所需粒子之气体、电浆、自由基及离子之至少一者接触前述固体基体表面。 ;14.如申请专利范围第13项之不纯物导入方法，其中前述照射步骤系利用改变与照射前述固体基体表面之电浆有关之偏电压、照射时间、偏压功率、离子种类及鞘层电压中之至少一条件，来控制导入前述固体基体表面之不纯物量。 ;15.如申请专利范围第13项之不纯物导入方法，其中前述电浆系含有选自于稀有气体、氢及卤素之至少一气体之系之电浆。 ;16.如申请专利范围第13项之不纯物导入方法，其中于前述不纯物导入步骤后更有一退火步骤，且该退火步骤系用以使前述不纯物活性化者。;第1图系本发明之一实施例之装置之主要部分截面图。;第2图系显示本发明之一实施例之基板之截面TEM观察结果之图。;第3图系显示本发明之非晶质层之厚度相对于电浆照射偏压之图。;第4图系显示本发明之RHEED观察结果之图。;第5图系显示比较例之RHEED观察结果之图。;第6图系比较本发明之一实施例与比较例之表面电阻值之图。;第7图系显示本发明之一实施例之表面电阻值相对于电浆照射时间之图。;第8图系显示本发明之一实施例之表面电阻值相对于偏电压之图。;第9图系显示本发明之一实施例之表面电阻值与非晶质层厚度之关系之图。