发明名称 超声波样品台以及用其进行粉体磁控溅射镀膜的方法
摘要 本发明公开了一种超声波样品台以及用其进行粉体磁控溅射镀膜的方法,该超声波样品台包括有样品容器、共振器和超声波发生器,样品容器置于共振器上方,共振器通过电缆与超声波发生器相连。在粉体磁控溅射镀膜过程中,通过调节超声波频率20kHz~500kHz和功率50W~2000W来带动共振器,使得共振器能够把声波均匀地施加到样品容器上,从而使样品容器内的粉体上下跳动并均匀地分散,且使粉体表面镀覆上均匀的薄膜,这样就满足了粉体均匀磁控溅射镀膜的目的。
申请公布号 CN101798677A 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN201010125037.9 申请日期 2010.03.16
申请人 北京航空航天大学 发明人 沈志刚;俞晓正;蔡楚江;麻树林;邢玉山
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 北京永创新实专利事务所 11121 代理人 李有浩
主权项 一种适用于粉体磁控溅射镀膜用的超声波样品台,其特征在于:该超声波样品台包括有样品容器、共振器和超声波发生器,样品容器置于共振器上方,共振器通过电缆与超声波发生器相连。
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