发明名称 | 变电阻存储器装置 | ||
摘要 | 一种变电阻存储器装置具有:具有存储器基元的基元阵列,每一个存储器基元存储可逆地设定的电阻值作为数据;感测放大器,其用于从所述基元阵列中的被选择的存储器基元读取数据;以及电压产生电路,其在已经读取了所述被选择的存储器基元的数据之后根据读出的数据产生电压脉冲,所述电压脉冲用于收敛该被选择的存储器基元的电阻状态。 | ||
申请公布号 | CN101802922A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
申请号 | CN200880107291.7 | 申请日期 | 2008.09.18 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 户田春希 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
主权项 | 一种变电阻存储器装置,包括:基元阵列,其具有存储器基元的排列,每一个存储器基元存储被可逆地设定的电阻值作为数据;感测放大器,其操作为从所述基元阵列的被选择的存储器基元读取所述数据;以及电压产生电路,其操作为在已经读取所述被选择的存储器基元的所述数据之后根据所述数据产生用于收敛所述被选择的存储器基元的电阻状态的电压脉冲。 | ||
地址 | 日本东京都 |