发明名称 |
成膜方法、面板制造装置、退火装置 |
摘要 |
本发明提供成膜方法、面板制造装置、退火装置,改善MgO保护膜的结晶取向强度分布。当将基板10的一边作为先头一面搬送一面对MgO膜进行成膜时,基板10的与先头呈直角的两边(两侧边)与两侧边之间的相比(111)结晶取向强度变低。当将退火用的加热器38分割为多根细长加热器38a,以基板10的两侧边与相比变为高温的方式进行加温时,两侧边的(111)结晶取向强度变高,(111)结晶取向强度的面内分布提高。 |
申请公布号 |
CN101798673A |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN201010116579.X |
申请日期 |
2010.02.10 |
申请人 |
株式会社爱发科 |
发明人 |
饭岛荣一;仓内利春;箱守宗人 |
分类号 |
C23C14/24(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/24(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
闫小龙;王忠忠 |
主权项 |
一种成膜方法,将一边作为先头,使矩形的成膜对象物在真空气氛中移动,使所述成膜对象物与放出等离子体显示器用保护膜材料的蒸气的蒸发源面对,使所述保护膜材料的蒸气到达所述成膜对象物的表面并形成保护膜,之后,对所述成膜对象物进行加热并进行退火处理,其中,在所述成膜对象物的四边中,将与所述先头的一边呈直角的两边,与该两边的中央相比加热到高温,进行所述退火处理。 |
地址 |
日本神奈川县 |