发明名称 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法
摘要 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法,涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中,然后将样品杆推入到样品室中,并对透射电镜抽真空,对TEM样品中的纳米线进行观察筛选;先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选,所选纳米线位于微栅孔中,然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选,使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质;先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌,然后根据修饰的需要,对纳米线进行有目的性的辐照,辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数,具有很强的可控性,而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。
申请公布号 CN101798058A 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN201010126626.9 申请日期 2010.03.12
申请人 厦门大学 发明人 朱贤方;苏江滨;李论雄;吴燕
分类号 B82B3/00(2006.01)I 主分类号 B82B3/00(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法,其特征在于包括以下步骤:1)装样:将TEM样品放入样品座中,然后将样品杆推入到样品室中,并对透射电镜抽真空,对TEM样品中的纳米线进行观察筛选;2)纳米线的筛选:先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选,所选纳米线位于微栅孔中,然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选,使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质;3)纳米线的修饰:先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌,然后根据修饰的需要,对纳米线进行有目的性的辐照,辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。
地址 361005 福建省厦门市思明南路422号