| 发明名称 | 一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法 | ||
| 摘要 | 一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法，属于粉末冶金与材料学领域。超细、纳米WC粉末中WC晶粒异常长大必然会导致超细、特级超细硬质合金中WC晶粒异常长大，从而导致合金性能的明显降低。本发明通过对W+C混合料进行掺杂处理实现对超细、纳米WC粉末制备过程中，即超细、纳米W粉末碳化过程中WC晶粒异常长大行为的有效抑制。本发明中的掺杂处理，即在W+C混合料中掺入0.03～0.06％的稀土氧化物，其中稀土氧化物以硝酸盐溶液形式加入。 | ||
| 申请公布号 | CN101797644A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010145898.3 | 申请日期 | 2010.04.13 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 张立;吴厚平;陈述;熊湘君 |
| 分类号 | B22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | B22F1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 邓建辉 |
| 主权项 | 一种抑制超细、纳米WC粉末晶粒异常长大的方法，通过对W+C混合料进行掺杂处理达到，其特征是：在W+C混合料中掺入质量含量为0.03～0.06％的稀土氧化物。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 | ||