一种磁控溅射技术制备的新型超硬TiB₂/c-BN纳米多层薄膜

摘要

本发明涉及新型超硬TiB2/c-BN纳米多层膜及其制备方法与应用，它是在Al2O3(111)基底上先沉积40-70nm的TiB2作为过渡层，再交替沉积h-BN和TiB2制备纳米多层薄膜，每调制周期层厚为20-25nm，多层膜的调制周期为8-32层，总层厚为500-800nm；其中h-BN∶TiB2的调制比1∶3～1∶16。本发明的新型超硬TiB2/c-BN纳米多膜具有高硬度、较低内应力，摩擦系数小，高膜基结合力的优良综合特性。新型超硬TiB2/c-BN纳米多层膜在刀刃具、模具表面强化薄膜中将有重要的应用前景。

主权项

一种TiB2/c-BN纳米多层膜，其特征在于在Al2O3(111)基底上先沉积40-70nm的TiB2作为过渡层，再交替沉积h-BN和TiB2制备纳米多层薄膜，每调制周期层厚为20-25nm，多层膜的调制周期为8-32层，总层厚为500-800nm；其中h-BN∶TiB2的调制比1∶3～1∶16，薄膜最表层为TiB2层。