形成横向分布发光二极管的方法

摘要

本发明是有关于一种形成横向分布发光二极管的方法。首先，形成具第一导电性的第一缓冲层在半导体基板上，且形成介电层于第一缓冲层上。对介电层进行图样化(patterning)，以形成第一图样化区域于其内，接着形成第一主动层在第一图样化区域内。对介电层进行图样化，以形成第二图样化区域于其内，接着形成第二主动层在第二图样化区域内。形成具第二导电性的第二缓冲层在第一、第二主动层上。最后，形成电极在第二、第一缓冲层上。本发明的形成横向分布发光二极管的方法，可以提高输出效能、简化封装工艺、提高混色效能并减少晶片面积。

主权项

一种形成横向分布发光二极管的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基板；形成一第一缓冲层于该半导体基板上，该第一缓冲层具有第一导电性；形成一介电层于该第一缓冲层上；图样化该介电层，以形成一第一图样化区域于该介电层内；形成一第一主动层于该介电层的第一图样化区域内；图样化该介电层，以形成一第二图样化区域于该介电层内；形成一第二主动层于该介电层的第二图样化区域内，该第二主动层所发射光线的颜色异于该第一主动层；形成第二缓冲层于该第一主动层及该第二主动层上，该第二缓冲层具有第二导电性；以及形成电极于该第二缓冲层、该第一缓冲层上。