| 发明名称 | 半导体发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。作为半导体层叠结构(16)，在GaN衬底(14)上依次形成n型AlGaN覆盖层(18)、有源层(24)、p型AlGaN覆盖层(34)、及p型GaN接触层(36)。在半导体层叠结构(16)的顶面形成条形波导区域(38)。在半导体层叠结构(16)的顶面与波导区域(38)相离地形成凹部(40)。n型电极(50)与GaN衬底(14)电连接。p型电极(46)与p型GaN接触层(36)电连接。在p型电极(46)上形成有焊盘电极(48)。隔着SiO2膜(44)在凹部(40)内部形成凹部内电极(52)。 | ||
| 申请公布号 | CN101800399A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200910207382.4 | 申请日期 | 2009.10.19 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 藏本恭介 |
| 分类号 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/16(2006.01)I;H01S5/02(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 何欣亭;徐予红 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其特征在于具备：半导体衬底；半导体层叠结构，该半导体层叠结构具有在所述半导体衬底上依次形成的第一导电型的覆盖层、有源层、第二导电型的覆盖层、及第二导电型的接触层，并在顶面形成有条形波导区域，且在顶面与所述波导区域相离地形成有凹部；第一导电型电极，与所述半导体衬底电连接；第二导电型电极，与所述接触层电连接；焊盘电极，形成在所述第二导电型电极上；以及凹部内电极，隔着绝缘膜形成在所述凹部的内部。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||