MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法

摘要

一种MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法，该方法包括在生产线中收集大量工艺参数并得到与这些工艺参数相关的工艺标准偏差的步骤S1、选取6个模型参数并且进行模型参数与工艺标准偏差的数值差分法灵敏度分析的步骤S2、在已知的灵敏度基础上由生产线中收集的工艺标准偏差反向推出模型参数标准偏差的步骤S3、以及将模型参数标准偏差写入模型文件并进行仿真而且微调模型参数标准偏差值直到仿真工艺标准偏差与实测工艺标准偏差数据的两者结果基本相符的步骤S4。该方法能较简便且快速地完成对MOS晶体管电学统计模型的建模，提高集成电路设计工作的效率和准确性。

主权项

一种MOS晶体管电学统计模型的快速建模方法，其特征在于，包括步骤S1：在生产线中收集大量工艺参数并得到与这些工艺参数相关的工艺标准偏差的步骤、步骤S2：选取6个模型参数并且进行所述模型参数与所述工艺标准偏差的数值差分法灵敏度分析的步骤、选取的所述6个模型参数为工业界标准MOSBSIM4模型中的氧化层厚度Tox、工艺所致的沟道长度的变化Xl、工艺所致的沟道宽度的变化Xw、源极与漏极接触的块电阻Rsh、阈值电压的短沟道效应系数k1、以及器件的阈值电压Vth0；步骤S3：在已知的灵敏度基础上由生产线中收集的所述工艺标准偏差反向推出所述模型参数的标准偏差的步骤、以及步骤S4：将所述模型参数的标准偏差写入模型文件并进行仿真而且微调所述模型参数的标准偏差值直到仿真工艺标准偏差与实测工艺标准偏差的数据基本相符的步骤。