低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件及其制造方法

摘要

一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极区位于第一阱区中。源极区位于第二阱区中。场氧化层，位于源极区与漏极区之间的第一阱区上。栅极导电层，位于源极区与漏极区之间的第二阱区上且覆盖部分场氧化层。栅介电层，位于栅极导电层与基底之间。掺杂区，位于部分栅极导电层与场氧化层下方的该第一阱区中且与该漏极区连接，其中，栅介电层下方的掺杂区与源极区之间的第二阱区定义出一沟道区。

主权项

一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件，其特征在于，包括：一具有第一导电型的第一阱区，位于具有第二导电型的一基底中；一具有第二导电型的第二阱区，位于该基底中，邻近于该第一阱区；一具有第一导电型的第一掺杂区，位于该第一阱区中；一具有第一导电型的第二掺杂区，位于该第二阱区中；一栅极导电层，部分位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第二阱区上；一栅介电层，位于该栅极导电层与该基底之间；一具有一第一导电型的第三掺杂区，位于部分该栅极导电层下方的该第一阱区中且与该第一掺杂区连接，其中，该栅介电层下方的该第三掺杂区与该第二掺杂区之间的该第二阱区定义出一沟道区，且该第三掺杂区还延伸至部分该第二阱区中；以及一场氧化层，位于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的部分该第三掺杂区上；其中，该第三掺杂区的掺杂浓度低于该第一掺杂区或该第二掺杂区的掺杂浓度。