光导型双色紫外红外探测器及其制备方法

摘要

光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：1.蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；2.在蓝宝石衬底上生长AlN层；3.在AlN层上生长GaN层；4.在GaN层生长GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱；5.在GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱上生长GaAs；6.在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱；7.GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。

主权项

光导型双色紫外红外探测器，其特征在于所述的光导型双色紫外红外探测器是在蓝宝石衬底外延依次生长有5～40nm厚的AlN层、800～1200nm厚的GaN层、120～480nm厚10～40个周期的GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱、800～1200nm厚的GaAs过渡层、2400～3600nm厚的40～60个周期的GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱和50～100nm厚的GaAs盖层；其中0.2≤x1≤0.3，0.1≤x2≤0.2。