光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法

摘要

一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面的一边被掩模台吸附，以及平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。

主权项

一种被曝光系统的掩模台吸附的光刻掩模基板，其中：在光刻掩模基板的主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或者更小，光刻掩模基板主表面被掩模台吸附，光刻掩模基板的尺寸为152mm方形，以及所述光刻掩模基板还具有图案区域，平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状，所述朝向外部外围边缘的方向是从所述图案区域的角朝向平面测量区域的角的方向。