分离的双栅场效应晶体管

摘要

一种具有至少两个栅区的半导体器件。所述器件包括提供：包括表面的衬底、衬底中的源区和衬底中的漏区。所述漏区和源区彼此分开。另外，所述器件包括在表面上的第一栅区、在表面上的第二栅区以及在表面上及第一栅区和第二栅区之间的绝缘区。所述第一栅区和第二栅区由所述绝缘区分开。第一栅区能够在衬底中形成第一沟道。所述第一沟道是从源区到漏区。第二栅区能够在衬底中形成第二沟道。所述第二沟道是从源区到漏区。

主权项

一种具有至少两个栅区的场效应晶体管，包括：包括表面的衬底；所述衬底中的源区；所述衬底中的漏区，所述漏区和源区彼此分开；在所述表面上的第一栅区；在所述表面上的第二栅区；在所述表面上及所述第一栅区和第二栅区之间的绝缘区；其中：所述第一栅区和第二栅区由所述绝缘区分开；所述第一栅区能够在所述衬底中形成第一沟道，所述第一沟道从所述源区到漏区；所述第二栅区能够在所述衬底中形成第二沟道，所述第二沟道从所述源区到漏区；所述场效应晶体管还进一步包括第一电介质层和第二电介质层，所述第一电介质层直接在所述表面上，所述第一栅区直接在所述第一电介质层上，所述第二电介质层直接在所述表面上，所述第二栅区直接在所述第二电介质层上；所述第一电介质层和第二电介质层分别是电介质层的第一部分和第二部分；所述第一电介质层和第二电介质层的厚度相等；所述第一栅区上直接形成有第一自对准硅化物层，所述第二栅区上直接形成有第二自对准硅化物层；所述第一栅区能够形成具有至少第一电压偏置的第一沟道；所述第二栅区能够形成具有至少第二电压偏置的第二沟道，所述第一电压偏置和第二电压偏置不同。