发明名称 一种制作凸面双闪耀光栅的方法
摘要 本发明公开了一种制作凸面双闪耀光栅的方法,其特征在于,包括下列步骤:(1)在光栅基片上涂布光刻胶;(2)进行第一次干涉光刻,制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(3)对于A光栅区的光栅掩模,通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,形成三角形的闪耀光栅槽形;清洗基片;(4)重新涂布光刻胶;(5)将B光栅区进行遮挡,利用已制备完成的A光栅区进行莫尔条纹对准,然后去除遮挡,进行第二次干涉光刻,制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(6)通过倾斜Ar离子束扫描刻蚀,将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形;(7)清洗基片,得到凸面双闪耀光栅。本发明实现了凸面双闪耀光栅的制作,能够精确地分别控制两个闪耀角。
申请公布号 CN101799569A 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN201010126045.5 申请日期 2010.03.17
申请人 苏州大学 发明人 刘全;汪海宾;吴建宏;胡祖元;陈新荣;李朝明
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G02B27/60(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人 陶海锋
主权项 一种制作凸面双闪耀光栅的方法,所述凸面双闪耀光栅的两个闪耀角分别是A闪耀角和B闪耀角,凸面双闪耀光栅分为两个区,对应A闪耀角的为A光栅区,对应B闪耀角的为B光栅区,所述凸面双闪耀光栅为凸球面光栅,其特征在于,制作方法包括下列步骤:(1)在凸面基片上涂布光刻胶,光刻胶的厚度根据A闪耀角确定;(2)进行第一次干涉光刻,制作符合A闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(3)遮挡B光栅区,对于A光栅区的光栅掩模,进行倾斜Ar离子束扫描刻蚀,利用光刻胶光栅掩模对离子束的遮挡效果,使基底材料的不同位置先后被刻蚀,形成三角形的闪耀光栅槽形;之后清洗基片,保留下已刻蚀完的闪耀光栅槽形;(4)在凸面基片上重新涂布光刻胶,光刻胶的厚度根据B闪耀角确定;(5)将B光栅区进行遮挡,利用已制备完成的A光栅区,采用光学莫尔条纹法进行莫尔条纹对准,使得两次干涉光刻产生的光栅周期相一致,然后去除遮挡,进行第二次干涉光刻,制作符合B闪耀角要求的光刻胶光栅掩模;(6)遮挡A光栅区,对于B光栅区的光栅掩模,进行倾斜Ar离子束扫描刻蚀,将B光栅区刻蚀形成三角形的闪耀光栅槽形;(7)清洗基片,得到凸面双闪耀光栅;其中,步骤(3)和步骤(6)中所述倾斜Ar离子束扫描刻蚀为,在凸面基片的外侧设置与凸面基片表面同心的球面掩模,所述球面掩模中心的法线方向与Ar离子束入射方向的角度等于对应刻蚀光栅闪耀角的Ar离子束入射角,以凸面基片的球心为转动中心,使凸面基片相对于入射离子束及球面掩模转动,实现扫描刻蚀。
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