半导体封装构造及其封装方法

摘要

一种半导体封装构造及其封装方法，该方法包括下列步骤：在承载件上设置晶片；使惰性气体通过铜焊线的线状部的线端的周围，并使所述线端形成球状部，其中所述球状部的每一边缘到所述铜焊线中心线的距离大体上相等，所述线状部和球状部分别具有线径D1和球径D2，且2×D1≤D2≤2.5×D1；使所述球状部接合于所述晶片的接垫，其中接合后所述球状部形成弧状接合部，该弧状接合部的每一边缘到所述铜焊线中心线的距离大体上相等，接合后的线状部具有截面直径D1’，所述弧状接合部具有截面直径D2’，且1.8×D1’≤D2’≤3×D1’；以及包覆所述晶片和铜焊线，并覆盖所述承载件，使封胶、晶片及承载件形成封装体。在本发明半导体封装方法的铜焊线的球状部的电烧制程中，由于所述惰性气体可有效地阻隔氧气与铜接触，因此即使电烧温度高，铜也不容易发生氧化，进而使所述球状部的球形成功(有益效果)。

主权项

一种半导体封装构造，该半导体封装构造包括：承载件；晶片，该晶片具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面，所述晶片设置在所述承载件上；接垫，该接垫设置在所述晶片的第一表面上；铜焊线，该铜焊线电性连接于所述晶片和所述承载件，所述铜焊线包括线状部和弧状接合部，所述弧状接合部接合于所述接垫，其中所述线状部具有截面直径D1’，所述弧状接合部具有截面直径D2’，1.8×D1’≤D2’≤3×D1’，所述弧状接合部的每一边缘到所述铜焊线中心线的距离大体上相等，且所述弧状接合部的边缘与所述接垫的裸露区域的边缘的间距≥4μm；以及封胶，该封胶包覆所述晶片、所述铜焊线和覆盖所述承载件。