| 发明名称 | 隔离层的形成方法及非易失性存储装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种隔离层的形成方法及一种非易失性存储装置的制造方法，该隔离层的形成方法包括：在衬底上方形成硬掩膜图案；通过转变硬掩膜图案的部分侧壁来形成保护层；通过使用硬掩膜图案和保护层作为刻蚀屏障来刻蚀衬底，以形成沟槽；通过用绝缘材料填充沟槽来形成隔离层；去除硬掩膜图案；以及实施清洁工艺。通过形成保护层，可以防止在去除硬掩膜图案的工艺和清洁·¥艺期间的隔离层的损失，从而防止壕的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101800190A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010114551.2 | 申请日期 | 2010.02.09 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 崔英光 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在衬底上方形成硬掩膜图案；通过转变所述硬掩膜图案的部分侧壁来形成保护层；通过使用所述硬掩膜图案和所述保护层作为刻蚀屏障来刻蚀所述衬底，以形成沟槽；通过用绝缘材料填充所述沟槽来形成隔离层；以及去除所述硬掩膜图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||