发明名称 |
具有保护蒸气的场发射装置 |
摘要 |
本发明公开了一种场发射装置,其中保护蒸气存在于场发射阴极组件和阳极之间的抽空空间中。保护蒸气可为一种或多种含氢的气体诸如包含M-H键的气体,其中M可为C、Si、B、Al或P。保护蒸气在抽空空间内具有在20℃下大于约10-8托(1.33x10-6Pa)的分压。 |
申请公布号 |
CN101802956A |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200880103919.6 |
申请日期 |
2008.08.20 |
申请人 |
纳幕尔杜邦公司 |
发明人 |
A·芬尼莫尔;D·H·罗奇 |
分类号 |
H01J9/395(2006.01)I;H01J29/94(2006.01)I;H01J31/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01J9/395(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
段晓玲;韦欣华 |
主权项 |
用于增加场发射装置的寿命的方法,所述方法包括(a)提供场发射装置,所述场发射装置包括(i)阴极组件、(ii)阳极、以及(iii)在所述阴极和所述阳极之间的抽空空间;以及(b)向所述抽空空间提供保护蒸气,所述保护蒸气在所述抽空空间内具有在20℃下大于约10-8托的分压;其中所述保护蒸气包括一种或多种具有M-H键的气体,其中M可选自C、Si、B、Al和P中的任何一个或多个。 |
地址 |
美国特拉华州 |