| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有铝焊垫，在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的钝化层，在所述钝化层中形成开口；去除所述光刻胶层；用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁；用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁。本发明可去除在刻蚀钝化层的工艺时产生的聚合物。 | ||
| 申请公布号 | CN101303987B | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200710040626.5 | 申请日期 | 2007.05.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 沈满华;张世谋;王新鹏;孙武 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，在所述半导体结构上具有铝焊垫，在所述半导体结构和铝焊垫上具有钝化层；在所述钝化层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成开口图案；刻蚀所述开口图案底部的钝化层，在所述钝化层中形成开口；去除所述光刻胶层；用含有硫酸和双氧水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁，所述含有硫酸和双氧水的水溶液中硫酸的浓度为1％至5％，双氧水的浓度为3至10％；用含有氢氟酸和氨水的水溶液清洗所述开口底部和侧壁，所述含有氢氟酸和氨水的水溶液中氢氟酸的浓度为3％至7％，氨水的浓度小于2％。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||