槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板与漏极电气连接，该源场板与源极电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的功率器件。

主权项

一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、源场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该源场板(9)与源极(4)电气连接，其特征在于，势垒层(3)上开有凹槽(6)，该凹槽(6)的深度D小于势垒层的厚度，槽栅(7)与凹槽(6)两端的间距分别为R1和R2，R1的长度为0～2.5μm，R2的长度为0～4μm，并且R1≤R2；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，每个浮空场板大小相同，相互独立，各浮空场板按照相邻两浮空场板之间的间距均为0.11～2.8μm的方式等间距分布于源场板与漏场板之间，这些场板构成源-漏复合场板结构。