| 发明名称 | 鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法以及集成电路结构，其中操作方法包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应。上述方法还包括测定该鳍型场效应晶体管熔丝的一编程状态。 | ||
| 申请公布号 | CN101800083A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010113999.2 | 申请日期 | 2010.02.05 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 李介文 |
| 分类号 | G11C17/16(2006.01)I;G11C17/18(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;邢雪红 |
| 主权项 | 一种鳍型场效应晶体管熔丝的操作方法，包括：提供包括一漏极、一栅极、一源极以及位于该漏极与该源极之间的一通道的该鳍型场效应晶体管熔丝；以及施加一编程电压于该鳍型场效应晶体管熔丝的该源极与该漏极之间，以于该鳍型场效应晶体管熔丝的该通道内形成穿透效应。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||