发明名称 |
电子器件的制造方法 |
摘要 |
电子器件的制造方法,在基板上形成的透明树脂膜中,选择性地埋设用于形成栅极的金属膜,在栅极部分通过溅射将金属膜直接形成在基板上,而在栅极部分以外的部分则通过溅射将金属膜形成在绝缘性涂布膜上。随着绝缘性涂布膜被蚀刻去除,绝缘性涂布膜上的金属膜通过化学剥离被去除。本发明提供一种在具有超大面积的基板上均匀形成导体层的制造电子器件的方法。 |
申请公布号 |
CN101802987A |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200880106579.2 |
申请日期 |
2008.09.05 |
申请人 |
国立大学法人东北大学;宇部兴产株式会社;宇部日东化成株式会社 |
发明人 |
大见忠弘;藤村诚;小池匡;番场昭典;小林章洋;绵贯耕平 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
一种电子器件的制造方法,所述电子器件具有:基板、在该基板上形成的透明树脂膜、和选择性地埋设于该透明树脂膜中的金属膜,其特征在于,所述制造方法包括:工序1,在所述透明树脂膜上形成绝缘性涂布膜;工序2,在所述涂布膜和所述透明树脂膜上选择性地形成槽;工序3,通过溅射,在包括所述槽内和所述涂布膜上的整个面上形成金属膜;和工序4,通过蚀刻去除所述涂布膜,剥离所述涂布膜上的金属膜,获得所述金属膜埋设于所述槽的构造。 |
地址 |
日本国宫城县 |