浅沟槽隔离工艺方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离工艺方法，包括以下步骤：1、在硅片上生长一层氧化层衬垫，对氧化层衬垫涂胶，进行第一次光刻，2、刻蚀形成浅沟槽，剥离光刻胶，并在浅沟槽中长一层氧化层衬垫；3、在浅沟槽中填充硅基光刻胶；4、对硅基光刻胶进行光刻，5、氧气等离子处理；6、刻蚀掉氧化层衬垫，清洗；7、利用自动反馈系统精确生长一层氧化层衬垫。本发明采用硅基光刻胶作为浅沟槽的填充介质，大大提高了浅沟槽的隔离能力，并且省却了已有工艺中的化学机械抛光工艺，简化了工艺流程，同时使得面内均一性提高。

主权项

一种浅沟槽隔离工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在硅片上生长第一层氧化层衬垫，在所述第一层氧化层衬垫上涂布光刻胶，并进行光刻定义出形成浅沟槽的位置，通过显影去除所述浅沟槽的位置上的光刻胶，在所述浅沟槽的位置上形成光刻胶窗口、其它区域用光刻胶保护；第二步，以所述光刻胶为掩膜，在所述光刻胶窗口处刻蚀形成所述浅沟槽，去除所述光刻胶，并在所述浅沟槽的内壁以及所述第一层氧化层衬垫表面上生长第二层氧化层衬垫；第三步，在形成有所述浅沟槽、第一层氧化层衬垫、第二层氧化层衬垫的硅片上涂布硅基光刻胶，所述硅基光刻胶完全填充所述浅沟槽；第四步，对所述硅基光刻胶进行光刻并显影，以去除所述浅沟槽区域外的所述硅基光刻胶；第五步，氧气等离子体处理；第六步，刻蚀掉所述沟槽外的硅片表面上的所述第一层氧化层衬垫和所述第二层氧化层衬垫，并清洗；第七步，利用自动反馈系统在所述硅片和所述硅基光刻胶上生长第三层氧化层衬垫。