| 发明名称 | 涂底的方法及光刻胶的涂布方法 | ||
| 摘要 | 一种涂底的方法，包括：将半导体晶片置于密闭的腔室中；降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；对所述半导体晶片进行脱水烘烤；继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述腔室中通入气态的涂底材料，在所述半导体晶片表面形成涂底膜层；向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出。本发明还提供一种光刻胶的涂布方法。本发明的涂底方法可减少涂底的时间，提高涂底的速度，且能够防止涂底材料泄漏，避免造成污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101393840B | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200710046207.2 | 申请日期 | 2007.09.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杨光宇 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种涂底的方法，其特征在于，包括：将半导体晶片置于密闭的腔室中；降低所述腔室中的压力，使所述腔室中的压力小于该腔室外部的压力；对所述半导体晶片进行脱水烘烤；继续对所述半导体晶片执行烘烤工艺，向所述形成负压的腔室中通入气态的涂底材料，以使所述涂底材料快速进入所述腔室，同时与所述半导体晶片表面接触的涂底材料与所述半导体晶片表面在高温下反应，在所述半导体晶片表面形成薄的涂底膜层；多次降低所述腔室中的压力，并向所述腔室中通入气态的涂底材料；向所述腔室中通入惰性气体或氮气，并将残余的涂底材料抽出。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||