太阳电池减反射膜生产工艺

摘要

本发明公开了一种可有效减少表面入射光反射损失，同时又可增强表面减反射膜致密性、增加对有害杂质如Na+、Fe+等的阻挡的改良SixNy减反射膜生长工艺。本发明生长工艺过程中高频等离子体源的功率为800W，反应室内的环境温度为480℃，硅烷的流量为300sccm，氨气流量保持原有工艺参数1800sccm，工艺硅片承载舟的进退速度为600mm/min，确保了所生长的膜层能及时钝化退火(边生长边退火钝化)，不仅使其致密性增强，且PN结表面辐射损伤能及时有效修复。本发明适用于晶体硅太阳能电池的生产。

主权项

一种太阳电池减反射膜生产工艺，其特征在于包括以下生产工艺步骤：1)清洁单晶硅片：将经过扩散形成PN结及经过等离子去边与去PSG清洗洁净的硅片清理干净，保持硅片表面干燥、无水渍；2)插片：将清洁干燥的硅片N+层面向外垂直插入载片石墨舟内，然后以600mm/分的速度送入反应室内；3)恒温：石墨舟送入反应室，反应室内的环境温度为480℃，由于冷端效应影响，其温度会有一个60℃的下降，为了确保整个反应室内膜的致密性均匀一致，必须使反应室内恒温区温度稳定，使反应室内恒温区温度稳定的过程需5分钟左右；4)生长SixNy膜：往反应室内通入流量300sccm的硅烷气体和1800sccm的氨气气体，并使反应室真空保持在280Pa左右恒压1～2分钟时间，目的是让硅烷与氨气在反应室内各处充分混合均匀，然后将高频电源设置为800W并开启，高频工作方式为间歇式工作方式，即每放电5秒停15秒，让硅片在反应室内淀积长膜10分钟后，切断高频与工艺气体，将反应室内残余气体抽干净，再充入氮气后抽空，反复3次后，便可将硅片从反应室取出，沉积步骤完成。