发明名称 |
垂直腔面发射激光器列阵的串接结构 |
摘要 |
本发明是一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵的串接结构,涉及光电子及半导体技术领域。该结构包括热沉、热沉表面的金属膜、垂直腔面发射激光器列阵芯片、金属条、流入电极、流出电极及金丝引线、发光单元。该发明实现了VCSEL列阵的串接,结构紧凑,所有的引线都分布在外侧,VCSEL列阵芯片排列紧密,有效的发光面积大,发光密度大。在不提高驱动电流的前提下进一步提高VCSEL列阵的输出功率,拓展了VCSEL列阵的应用范围。使用高导热材料做为热沉散热,又使用热传导效率较高的焊料,加之VCSEL列阵芯片的工作方式是脉冲工作,因此,基本解决了散热问题。 |
申请公布号 |
CN101447647B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200810051624.0 |
申请日期 |
2008.12.22 |
申请人 |
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
发明人 |
史晶晶;王立军;秦莉;刘云;宁永强 |
分类号 |
H01S5/42(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/42(2006.01)I |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 22210 |
代理人 |
王立伟 |
主权项 |
一种新型的垂直腔面发射激光器列阵串接结构,其特征在于:该结构包括热沉(1)、热沉表面的金属膜(2)、垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)、金属条(4)、流入电极(51)、流出电极(52)及金丝引线(6)、每个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)中包括M×M个发光单元(7);各部分的位置及连接关系:在热沉(1)上的指定区域蒸镀金属膜(2),垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域内,再将金属条(4)焊接在热沉(1)上蒸镀金属膜(2)的区域,金丝引线(6)将垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)和金属条(4)连接,电流通过流入电极(51)流入,通过金丝引线流入各个垂直腔面发射激光器列阵芯片(3),最后从流出电极(52)流出,垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)在金属膜区域内排列方式是以N×N,N×N为垂直腔面发射激光器列阵芯片(3)的个数,本发明中N为2-10的正整数。 |
地址 |
130033 吉林省长春市东南湖大路16号 |