| 发明名称 | 一种在硅片表面形成氧化层的方法 | ||
| 摘要 | 一种处理硅片表面的方法，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒；(d)采用去离子水冲洗待测硅片；(e)采用氮气吹干待测硅片。本发明的优点在于，通过优化氢氟酸和双氧水的浓度以及清洗时间，达到了节约时间和工艺成本的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN101799381A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010116252.2 | 申请日期 | 2010.03.02 |
| 申请人 | 上海新傲科技股份有限公司 | 发明人 | 张峰;张斌;陈浩 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种处理硅片表面的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)采用质量浓度为15％至17％的氢氟酸溶液清洗待测硅片，以去除待测硅片表面疏松的自然氧化层，清洗时间为20至40秒；(b)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的氢氟酸溶液；(c)采用质量浓度为8％至12％，温度为70℃至90℃的双氧水溶液清洗待测硅片，清洗时间为60至100秒，以在待测硅片表面形成一层致密的氧化层；(d)采用去离子水冲洗待测硅片，以去除待测硅片表面残余的双氧水溶液；(e)采用氮气吹干待测硅片。 | ||
| 地址 | 201821 上海市嘉定区普惠路200号 | ||