发明名称 | 发光元件、发光设备和电子设备 | ||
摘要 | 在包括处在一对电极之间的EL层的发光元件中,形成如下结构,其中该EL层至少包括在用作阳极的电极和具有发光属性的第三层(发光层)之间的具有空穴注入属性的第一层(空穴注入层)和具有空穴输运属性的第二层(空穴输运层);并且第二层的最高被占用分子轨道能级(HOMO能级)的绝对值大于第一层的最高被占用分子轨道能级(HOMO能级)的绝对值,从而使从用作阳极的电极侧注入的空穴量被抑制,并且因此增加了发光元件的发光效率。 | ||
申请公布号 | CN101803058A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
申请号 | CN200880107366.1 | 申请日期 | 2008.10.10 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 下垣智子;铃木恒德;濑尾哲史 |
分类号 | H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
主权项 | 一种发光元件,包括:一对电极之间的EL层,其中所述EL层包括具有空穴注入属性的第一层、具有空穴输运属性的第二层和具有发光属性的第三层,其中所述第一层和所述第二层插入在用作阳极的电极和所述第三层之间,其中所述第一层包括复合材料,在该复合材料中受主物质被包含在具有高的空穴输运属性的物质中,并且其中所述第二层的最高被占用分子轨道能级的绝对值大于所述第一层的最高被占用分子轨道能级的绝对值。 | ||
地址 | 日本神奈川 |