| 发明名称 | 制备高浓度金属氧化物层的方法以及由此制造的层 | ||
| 摘要 | 用于制造氧化物层的方法包括使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中，与通过在没有ECU下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属的量相比，所制造的金属氧化物层具有更高的存在于所述金属氧化物层的金属量；或者使可氧化的非金属导电表面氧化，其中所述可氧化的非金属导电表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中所制造的氧化物层比通过在没有ECU下使所述可氧化的非金属导电表面氧化制造的层具有更高浓度；以及由此所制造的金属氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101802268A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200880105894.3 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 应用半导体国际有限公司;普林斯顿大学理事会 | 发明人 | 安德鲁·B·博查尔斯利;布伦特·W·柯比;戴维·道林 |
| 分类号 | C23F13/00(2006.01)I | 主分类号 | C23F13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种用于制造金属氧化物层的方法，包括：使金属表面氧化，其中所述金属表面与电子控制单元(ECU)电连接；其中，与通过在没有ECU下使所述金属表面氧化所制造的金属氧化物层中存在的金属相比，所制造的金属氧化物层具有更高含量的存在于所述金属氧化物层中的金属。 | ||
| 地址 | 瑞士约南 | ||