| 发明名称 | 用于先进内存器件的自行对准的狭型储存元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在半导体衬底上形成次微影(sub-lithographic)电荷储存组件之方法。此方法可包括：在半导体衬底上设置第一及第二层，而该第一层的厚度大于该第二层的厚度；形成邻接该第一层的侧面且位于该第二层的上表面的一部分上之间隔件；以及去除该第二层未被该间隔件覆盖的暴露部分。藉由去除该第二层的暴露部分同时留下该第二层由该间隔件保护的一部分，该方法可以从该半导体衬底上之该第二层的留存部分制造出次微影电荷储存组件。 | ||
| 申请公布号 | CN101803006A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200880023742.9 | 申请日期 | 2008.05.09 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | S·A·帕里克 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种形成用于半导体结构(100)的次微影电荷储存元件的方法，包括：在半导体衬底(106)上设置第一层(102)和第二层(104)，该第一层(102)的高度大于该第二层(104)的高度，该第一层(102)邻接该第二层(104)，该第二层包括电荷俘获材料；形成间隔件(202)，该间隔件(202)邻接该第一层(102)的侧面(108)并且在该第二层(104)的上表面的一部分上；以及去除该第二层(104)未被该间隔件(202)覆盖的暴露部分。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||