用于互补金属氧化物半导体的受力无位错沟道及制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及制造半导体器件的方法。该半导体器件包括用于pFET和nFET的沟道。SiGe层生长在nFET沟道的沟道中，Si:C层生长在pFET沟道中。SiGe和Si:C层匹配下面的Si层的晶格网络，从而在上面生长的外延层中产生应力分量。在一实施方式中，这产生pFET沟道中的压缩分量和nFET沟道中的拉伸分量。在另一实施方式中，SiGe层生长在nFET和pFET沟道两者中。在此实施方式中，pFET沟道中的应力水平应当大于约3GPa。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括步骤：在衬底中形成p型场效应晶体管沟道和n型场效应晶体管沟道，所述p型场效应晶体管沟道和n型场效应晶体管沟道由通过从所述衬底的上表面去除材料来在所述衬底中形成的沟槽形成；在该p型场效应晶体管沟道内设置具有与该衬底的晶格常数不同的晶格常数的第一层材料；在该n型场效应晶体管沟道内设置具有与该衬底的晶格常数不同的晶格常数的第二层材料；在该p型场效应晶体管沟道内该第一层材料及该n型场效应晶体管沟道内该第二层材料之上形成外延半导体层，该外延半导体层基本上具有与该衬底相同的晶格常数，使得应力分量产生在该p型场效应晶体管沟道和该n型场效应晶体管沟道内。