发明名称 利用银获得LCOS器件的方法和所产生的结构
摘要 一种制造LCOS器件的方法。所述方法包括提供半导体基片,并形成多个MOS晶体管器件,所述多个MOS晶体管器件形成在半导体基片的一部分上。所述方法包括形成覆盖多个晶体管器件的第一电介质层以及形成覆盖第一电介质层的第一金属层。所述方法包括形成覆盖第一金属层的第二电介质层以及形成基本上由覆盖第二电介质层的含银材料制成的多个像素区。在一优选实施例中,所述含银材料对于450纳米和更大的波长具有非常高的反射率。
申请公布号 CN101330051B 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN200710042342.X 申请日期 2007.06.21
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 向阳辉;陆恩莲
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 徐谦;杨红梅
主权项 一种利用对镜面结构的化学机械抛光来制造LCOS器件的方法,所述方法包括:提供半导体基片;形成覆盖所述半导体基片的第一电介质层;形成覆盖所述电介质层的银金属层,所述银金属层具有上表面,所述上表面具有以均方根测量的预定粗糙度;图案化所述银金属层以暴露所述电介质层的部分,所述暴露部分形成围绕所述图案化银金属层的多个图案之一的边界,所述多个图案之一对应于LCOS器件的像素阵列中的一像素元素;形成覆盖所述银金属层和所述电介质层的暴露部分的第二电介质层;去除所述第二电介质层的一部分,直到所述图案化银金属层的上表面附近的区域;使用抛光工艺来处理覆盖所述图案化银金属层的区域,以将所述图案化银金属层的上表面的表面粗糙度减小到小于5埃,以便在所述图案化银金属层的上表面上形成镜面,所述镜面对应于所述像素元素。
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