发明名称 测量载流子的寿命的方法和设备
摘要 一种测量载流子寿命的设备包括测量探针,所述测量探针包括用于将紫外辐射引导至测量位置的装置。所述测量探针还包括至少一个电极,所述至少一个电极被设置为与所述测量位置成预定空间关系。所述设备还包括:微波源,所述微波源被设置为将微波辐射引导至所述测量位置;微波检测器,所述微波检测器被设置为测量响应于所述紫外辐射在所述测量位置反射的微波辐射的强度的改变;以及半导体结构支架,所述半导体结构支架被设置为容纳半导体结构,并且提供到所述半导体结构的一部分的电接触。另外,提供了用于相对于所述测量探针来移动所述半导体结构支架以将所述半导体结构的至少一部分定位在所述测量位置的装置。所述设备还包括电源,所述电源被设置为在所述半导体结构支架与所述电极之间施加偏置电压。
申请公布号 CN101802629A 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN200880106589.6 申请日期 2008.09.08
申请人 硅绝缘体技术有限公司 发明人 佛雷德里克·阿利伯特;奥列格·科农丘克
分类号 G01R31/265(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01R31/265(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉
主权项 一种测量载流子的寿命的设备(100),该设备包括:测量探针(108),其包括用于将紫外辐射引导至测量位置(119)的装置(109),所述测量探针还包括至少一个电极(110,312-321,331-338),所述至少一个电极被设置为与所述测量位置(109)成预定空间关系;微波源(102),其被设置为将微波辐射(201)引导至所述测量位置(119);微波检测器(104),其被设置为测量响应于所述紫外辐射在所述测量位置(119)反射的微波辐射(202)的强度的改变;半导体结构支架(111),其被设置为容纳半导体结构(117),并且提供与所述半导体结构(117)的一部分的电接触;用于相对于所述测量探针(108)来移动所述半导体结构支架(111)以将所述半导体结构(117)的至少一部分定位在所述测量位置(119)的装置(112);以及电源(106),其被设置为在所述半导体结构支架(111)与所述电极(110,312-321,331-338)之间施加偏置电压。
地址 法国伯涅尼