| 发明名称 | 膜沉积方法和半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种膜沉积方法，包括以下步骤：将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者还原气氛下进行第二热处理，由此使所述涂层膜形成为氧化硅前体膜；和在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化硅膜，并且同时使所述硅膜致密化。 | ||
| 申请公布号 | CN101800176A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010105598.2 | 申请日期 | 2010.01.28 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 赤尾裕隆;贝野由利子;龟井隆广;原昌辉;栗原研一 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 封新琴 |
| 主权项 | 一种膜沉积方法，其包括以下步骤：将含有聚硅烷化合物的溶液涂覆于基板上，形成涂层膜，然后在惰性气氛下进行第一热处理，由此使所述涂层膜形成为硅膜；在所述硅膜上形成含有聚硅烷化合物的涂层膜，然后在惰性气氛或者还原气氛下进行第二热处理，由此使所述涂层膜形成为氧化硅前体膜；和在氧化气氛下进行第三热处理，由此使所述氧化硅前体膜形成为氧化硅膜，并且同时使所述硅膜致密化。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||