| 发明名称 | 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 | ||
| 摘要 | 一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管，包括：一透明阳极；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上，该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在所述有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在所述有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在所述有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在所述有机电子传输层上，该阴极的面积小于有机电子传输层的面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101800290A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200910077680.6 | 申请日期 | 2009.02.11 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李林森;关敏;曹国华;曾一平;李晋闽 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;C07C211/54(2006.01)I;C07D215/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管，其特征在于，包括：一透明阳极；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上，该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在所述有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在所述有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在所述有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在所述有机电子传输层上，该阴极的面积小于有机电子传输层的面积。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||