| 发明名称 | 具有改善的电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法 | ||
| 摘要 | 一种具有改进电性能的电介质层的半导体器件及其相关方法，该半导体器件包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在电介质层与下金属层和上金属层中至少之一之间，其中电介质层包括金属氧化物膜，插入层包括金属材料膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101800220A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010002113.7 | 申请日期 | 2010.01.05 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金润洙;崔在亨;曹圭镐;金完敦;林载顺;姜相列 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：下金属层、电介质层和上金属层，依次设置在半导体基板上；以及插入层，设置在所述电介质层与所述下金属层和所述上金属层中至少之一之间，其中所述电介质层包括金属氧化物膜，所述插入层包括金属材料膜。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||