压力传感器封装体和电子器件

摘要

本发明的压力传感器封装体(10)具有：压力传感器(11)，在半导体衬底(12)的一面，在其区域(α)的内部具有空间(13)，把位于该空间的上部的薄板化了的区域作为隔膜部(14)，在该隔膜部配置有压敏元件(15)，在所述一面，至少具有第一导电部(17)，该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域(β)，并且与所述各压敏元件电连接；以及第一凸起(18)，单独配置于所述第一导电部之上，并且与所述第一导电部电连接。所述外缘区域的半导体衬底的厚度D1、所述隔膜部的厚度D2、所述空间的高度D3、在所述区域除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度D4，满足(D2+D3)＜＜D4，并且D1≈D4。

主权项

一种压力传感器封装体，具有：压力传感器，在半导体衬底的一面，在其中央区域的内部具有与该一面大致平行扩展的空间，并以位于该空间的上部的薄板化了的区域为隔膜部，在该隔膜部配置有压敏元件，在所述一面，至少具有第一导电部，该第一导电部配置在除了所述隔膜部以外的外缘区域，并且与所述压敏元件电连接；以及第一凸起，单独配置于所述第一导电部之上，并且与所述第一导电部电连接；其特征在于：当将所述外缘区域的半导体衬底的厚度定义为D1，所述隔膜部的厚度定义为D2，所述空间的高度定义为D3，在所述中央区域，除了所述D2和所述D3以外的半导体衬底的剩余部分的厚度定义为D4时，(D2+D3)为5～20μm，并且D1≈D4，D1为200μm以上。