| 发明名称 | 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法和摄像装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种其中几乎不产生快门台阶且几乎不发生穿通和注入的绝缘栅场效应晶体管、一种使用此类晶体管的固态摄像装置、以及用于制造它们的方法。该绝缘栅场效应晶体管(30)是这样的：栅极绝缘膜(31)形成在半导体衬底(11)上，栅极(32)形成在栅极绝缘膜(31)上，且源极区域(33)和漏极区域(34)形成在栅极(31)两侧的半导体衬底(11)中。该晶体管(30)包括P型第一扩散层(12)和P型第二扩散层(13)，该第一扩散层(12)形成在半导体衬底(11)中比形成源极和漏极区域(33，34)更深的位置处，且该第二扩散层(13)形成在半导体衬底(11)中比形成第一扩散层(12)更深的位置处且具有比第一扩散层(12)更高的浓度。构成固态摄像装置的输出电路且形成在半导体衬底中的绝缘栅场效应晶体管的部分或全部可以是这种类型的。 | ||
| 申请公布号 | CN1689167B | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN03823935.3 | 申请日期 | 2003.08.18 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 吉田宏之 |
| 分类号 | H01L29/762(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/339(2006.01)I;H01L27/14(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 一种绝缘栅场效应晶体管，其具有在第二导电类型的衬底上的栅极，在所述衬底和所述栅极之间设置的栅极绝缘膜，其还具有在所述栅极两侧的所述衬底中形成的源极区域和漏极区域，所述绝缘栅场效应晶体管包括：第一导电类型的第一扩散层，其形成在所述衬底中比所述源极区域和所述漏极区域更深的位置处；所述第一导电类型的第二扩散层，其具有比所述第一扩散层更高的浓度且形成在所述衬底中比所述第一扩散层更深的位置处，其中所述第一扩散层和所述第二扩散层在深度方向上通过衬底材料分隔开，所述第一扩散层位于所述栅极、源极区域和漏极区域下方，如此在比第二扩散层更深的位置处，形成中性电势状态。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||