发明名称 |
用于沉积半导体晶片薄膜和使其平面化的装置和方法 |
摘要 |
提供了一种用于在晶片表面上沉积金属层的电镀装置。在一个例子中,能被充电作为阳极的邻近头紧靠着晶片表面放置。在晶片和邻近头之间提充电镀流体以产生局部金属电镀。 |
申请公布号 |
CN1842618B |
申请公布日期 |
2010.08.11 |
申请号 |
CN200480024730.X |
申请日期 |
2004.05.24 |
申请人 |
兰姆研究有限公司 |
发明人 |
M·瑞夫肯;J·柏依;Y·N·多迪;F·C·瑞德克;J·M·德赖瑞厄斯 |
分类号 |
C25D7/12(2006.01)I;C25D5/22(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I |
主分类号 |
C25D7/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
范赤;段晓玲 |
主权项 |
一种用于电镀晶片表面的电镀装置,包括:被配置放在晶片表面上的第一邻近头,在邻近头和晶片表面之间能产生第一流体,该第一流体能被充电作为阳极以在晶片表面上沉积金属层;和被配置放在晶片表面上的第二邻近头,在邻近头和晶片表面之间能产生第二流体,该第二流体能被充电作为阴极以能够在晶片表面上进行非消耗的化学反应,其中当在晶片表面上沉积金属层时,在第一流体和第二流体之间限定电连接。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |