| 摘要 |
반도체 구조는 모놀리식으로 집적화된 트렌치 FET 및 쇼트키 다이오드를 포함한다. 상기 반도체 구조는 반도체 영역 내로 연장되는 복수개의 트렌치들을 더 포함한다. 게이트 및 실드 전극들의 적층이 각각의 트렌치 내에 위치된다. 바디 영역들은 인접 트렌치들 사이의 상기 반도체 영역 상으로 연장되고, 각각의 바디 영역 상으로 연장되는 소스 영역을 포함한다. 두 개의 인접 트렌치들 사이마다의 뾰쪽한 모서리들(tapered edges)을 가지는 리세스는, 상기 두 개의 인접 트렌치들의 상부 코너들로부터 상기 바디 영역으로 연장되며, 상기 바디 영역 아래의 상기 반도체 영역에서 종료한다. 상기 바디 영역들 및 상기 소스 영역들의 뾰쪽한 측벽들과 전기적으로 접촉하기 위해 상호연결 층은 각 리세스로 연장되고, 상기 상호연결 층은 그 사이에 쇼트키 콘택을 형성하기 위해 각각의 리세스의 바닥을 따라 상기 반도체 영역과 더 접촉한다. |
