| 发明名称 | 隧穿氧化层的制作方法及快闪存储器的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种隧穿氧化层的制作方法，包括下列步骤：用原位蒸汽产生氧化法在半导体衬底上形成隧穿氧化层；对隧穿氧化层进行退火。还提供一种快闪存储器的制作方法。本发明对隧穿氧化层进行退火，使隧穿氧化层中的氧化硅与半导体衬底界面附近的硅的悬挂键终结，进而达到提高隧穿氧化层擦除速率。 | ||
| 申请公布号 | CN101330013B | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN200710042350.4 | 申请日期 | 2007.06.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 代培刚;虞肖鹏;林静;宋化龙 |
| 分类号 | H01L21/285(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/285(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种隧穿氧化层的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：用原位蒸汽产生氧化法在半导体衬底上形成隧穿氧化层；直接对隧穿氧化层进行退火，使隧穿氧化层中的氧化硅与半导体衬底界面附近的硅的悬挂键终结。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||