沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法

摘要

本发明涉及一种沟槽型肖特基势垒整流器及其制造方法。其包括半导体基板、第一导电类型衬底及第一导电类型漂移区，一个或多个沟槽从所述第一主面延伸进入至第一导电类型漂移区，并由此限定出一个或多个台面部；所述沟槽内壁上覆盖有绝缘氧化层，在所述覆盖有绝缘氧化层的沟槽内淀积第一电极；所述第一导电类型漂移区对应于沟槽的槽底设置第二导电类型包围层，所述第二导电类型包围层包覆所述沟槽的槽底；所述半导体基板上方淀积有第一金属层，所述第一金属层与第一电极相欧姆接触；所述第一金属层与台面部形成肖特基结；所述半导体基板的第二主面上覆盖有第二金属层。本发明制造成本低廉、降低了肖特基整流器的反向漏电流。

主权项

一种沟槽型肖特基势垒整流器，在所述肖特基势垒整流器的截面上，包括具有两个相对主面的半导体基板、位于半导体基板下部的第一导电类型衬底及位于半导体基板上部的第一导电类型漂移区，所述第一导电类型衬底邻接第一导电类型漂移区；所述第一导电类型衬底的表面为半导体基板的第二主面，所述第一导电类型漂移区的表面为半导体基板的第一主面；所述第一导电类型漂移区的掺杂浓度低于第一导电类型衬底的掺杂浓度；其特征是：一个或多个沟槽从所述第一主面延伸进入至第一导电类型漂移区，并在第一导电类型漂移区上部限定出一个或多个台面部；所述沟槽内壁上覆盖有绝缘氧化层，在所述覆盖有绝缘氧化层的沟槽内淀积第一电极；所述第一导电类型漂移区对应于沟槽的槽底设置第二导电类型包围层，所述第二导电类型包围层包覆所述沟槽的槽底；所述半导体基板对应于第一主面上方淀积有第一金属层，所述第一金属层与第一电极相欧姆接触；所述第一金属层与台面部的表面相接触，形成肖特基结；所述半导体基板的第二主面上覆盖有第二金属层，所述第二金属层与第一导电类型衬底相欧姆接触。