用于确定光学阈值和抗蚀剂偏置的方法和装置

摘要

本发明的一个实施例提供用于为光刻工艺确定建模参数的技术和系统。在操作期间，该系统可以接收布局。接着，该系统可以确定布局中的等聚焦图案。该系统然后可以通过将布局与多个光学模型卷积来确定与等聚焦图案邻近的多个空间图像强度值，其中多个光学模型对不同聚焦条件之下的光刻工艺的光学系统进行建模。接着，该系统可以确定与等聚焦图案邻近的如下位置，空间图像强度值在该位置对聚焦变化基本上不敏感。系统然后可以使用该位置和关联的空间图像强度值来确定光学阈值和抗蚀剂偏置。光学阈值和抗蚀剂偏置然后可以用于对光刻工艺进行建模。

主权项

一种用于为光刻工艺确定参数的方法，所述方法包括：接收布局；通过测量在晶片上印刷的等聚焦图案的关键尺度来确定抗蚀剂关键尺度值，其中所述关键尺度对聚焦变化基本上不敏感；通过以下操作来确定光学关键尺度值：通过将所述布局与多个光学模型卷积来确定与所述等聚焦图案邻近的多个空间图像强度值，其中所述多个光学模型对不同聚焦条件之下的所述光刻工艺的光学系统进行建模；确定与所述等聚焦图案邻近的第一位置，所述空间图像强度值在所述第一位置对聚焦变化基本上不敏感；以及通过确定在所述第一位置与参考位置之间的距离来确定所述光学关键尺度值；通过确定所述抗蚀剂关键尺度值与所述光学关键尺度值之差来为所述光刻工艺确定抗蚀剂偏置；以及存储所述抗蚀剂偏置。