用于交叉点可变电阻材料存储器的掩埋式低电阻金属字线

摘要

本发明涉及可变电阻材料存储器，其包括安置于二极管下面的掩埋式自对准多晶硅化物字线。可变电阻材料存储器包括被间隔开且紧接所述二极管的金属间隔件。方法包括形成所述掩埋式自对准多晶硅化物字线及所述金属间隔件中的一者。装置包括所述可变电阻材料存储器及所述掩埋式经自对准多晶硅化的字线与所述间隔件字线中的一者。

主权项

一种方法，其包含：通过使用硬掩模在安置于下部半导电衬底上面的上部半导电衬底中形成第一凹部；在所述第一凹部中形成间隔件；形成第二凹部，其至少穿透到所述上部半导电衬底中且在所述上部半导电衬底中形成支柱；在所述支柱中形成掩埋式自对准多晶硅化物字线；邻近所述支柱形成浅沟槽隔离；在所述硬掩模的使所述支柱在其上部表面处暴露的凹部中形成二极管；以及形成耦合到所述二极管的可变电阻材料存储器。