| 发明名称 | 一种ESD器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种ESD器件，所述ESD器件通过在漏区两端注入形成与漏区导电类型相反的补偿区，从而可以在较小的漏极宽度下获得较高的电阻，提高了ESD器件的抗静电能力，节约了芯片的面积，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101800246A | 申请公布日期 | 2010.08.11 |
| 申请号 | CN201010123662.X | 申请日期 | 2010.03.12 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张昊 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种ESD器件，其特征在于，包括：半导体衬底；第一导电类型的半导体阱区；在所述第一导电类型的半导体阱区上定义的多晶硅栅极；在所述第一导电类型的半导体阱区上的栅极两侧，重掺杂形成的第二导电类型的源区和漏区；在所述漏区外围的半导体阱区上注入形成的第一导电类型的ESD区域；在所述漏区两端注入形成的第一导电类型的补偿区；以及在所述多晶硅栅极与所述源区及部分漏区上形成金属化的硅化物。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区郭守敬路818号 | ||