发明名称 半导体器件和制造它的方法
摘要 本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件,和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层,设置在元件形成层上的绝缘膜,和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者,可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制,例如,可设置槽具有锥形形状等。
申请公布号 CN101111938B 申请公布日期 2010.08.11
申请号 CN200680003335.2 申请日期 2006.01.18
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 鹤目卓也
分类号 H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L27/04(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 段晓玲;韦欣华
主权项 一种半导体器件,包括:设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层;设置在元件形成层上的绝缘膜,其中在绝缘膜中设置槽;天线,包括电连接到晶体管上的导电膜;和设置在导电膜上的保护膜,其中天线设置在绝缘膜的至少槽上,使得具有锥形横截面形状。
地址 日本神奈川县厚木市