| 发明名称 | ZrO<sub>2</sub>-In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>系光记录介质保护膜形成用溅射靶 | ||
| 摘要 | 该ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。 | ||
| 申请公布号 | CN101796214A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN200880105516.5 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 三菱综合材料株式会社 | 发明人 | 张守斌;三岛昭史 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/48(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 郭煜;孙秀武 |
| 主权项 | 一种耐碎裂性优异的ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，其特征在于：具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||