| 发明名称 | III族氮化物晶体基材和半导体设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。本发明还提供了一种半导体设备，所述半导体设备包括上述的III族氮化物晶体基材。本发明提供的另一种III族氮化物晶体基材除上述两层外还包括通过外延生长在所述III族氮化物晶体基材上形成的至少一个III族氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101792929A | 申请公布日期 | 2010.08.04 |
| 申请号 | CN201010111026.5 | 申请日期 | 2006.04.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;西浦隆幸 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 一种III族氮化物晶体基材，所述基材包括：厚度为50nm以下的受影响层；和厚度为3nm以下的表面氧化层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||