薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器

摘要

提供一种薄膜晶体管、其制备方法以及使用该晶体管的平板显示器。薄膜晶体管包括栅极、与栅极绝缘的源极和漏极、与栅极绝缘并电连接到源极和漏极上的半导体层、绝缘层、介于半导体层和绝缘层之间并阻止电子或空穴迁移通过半导体层而被捕获到绝缘层中的载流子阻挡层。由于所述薄膜晶体管的构造可使得载流子阻挡层位于半导体层和绝缘层之间，可阻止注入到半导体层中的电子和空穴被捕获到绝缘层中，从而抑制了磁滞特性。另外，使用所述薄膜晶体管可制造可靠的平板显示器器件。

主权项

一种薄膜晶体管，其包括：栅极；与所述栅极绝缘的源极和漏极；与所述栅极绝缘并且电连接到所述源极和漏极上的半导体层；使所述栅极与所述源极和漏极或所述半导体层绝缘的绝缘层；和介于所述半导体层和所述绝缘层之间并在所述绝缘层的预定区域上形成的载流子阻挡层，所述预定区域对应于所述源极与所述漏极之间的部分，其中所述载流子阻挡层是空穴阻挡层，并且所述空穴阻挡层包括HOMO能级高于形成所述半导体层的有机半导体HOMO能级的材料并且所述空穴阻挡层选自以下的物质：三(8-羟基喹啉)铝)、1，4，5，8-萘基-四羧酸二酐、3，4，9，10-苝基四羧酸二酐、浴铜灵、4，4’-N，N’-二咔唑基-联苯、铜酞菁和3，4，9，10-苝基四羧酸二苯并咪唑，并且所述半导体层包括并五苯。